GD32F4的TCMSRAM（紧耦合SRAM）该如何使用？
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GD32F4的TCMSRAM（紧耦合SRAM）该如何使用？
GD32F4的TCMSRAM（紧耦合SRAM）该如何使用？
【GD32F4的TCMSRAM（紧耦合SRAM）该如何使用？】
如下图所示，GD32F4系列内部SRAM分为通用SRAM空间和TCMSRAM空间，其中通用SRAM为从0x20000000开始的空间，TCMSRAM为从0x10000000开始的64KB空间。大家一般使用的均为通用SRAM空间，这部分SRAM使用的时候没有限制，作为堆栈、变量、DMA使用等都可以，但TCMSRAM一般不使用，有的时候可能会被大家遗忘，如果大家碰到SRAM资源不足的时候，可以看看是否有TCMSRAM没有用到，如果没有用到，可以参考下本视频将TCMSRAM使用起来，你将会多出64KB的SRAM空间。
而TCMSRAM如何使用呢？TCMSRAM为紧耦合SRAM，该SRAM仅可被M4内核访问，因而该TCMSRAM空间不能被外设比如DMA访问，TCMSRAM与处理器内核直连，具有更快的访问速度和更低的访问延迟，可以用于加速关键任务的执行，提高系统的实时性能和响应速度。
使用TCMSRAM可以使用分散加载的方式，将需要放置到TCMSRAM中的变量手动加载到TCMSRAM中，具体有以下两种方法：
1.
直接通过 __attribute__加载到TCMSRAM中，如下所示。
代码块
uint32_t TX_Data[5] __attribute__((at(0x10000000)))={0};
2.
通过修改SCT文件，并将变量分散加载到对应的段中，如下所示。
代码块
代码中的操作如下：
uint32_t TX_Data[5] __attribute__((section(".bss.RAM_Array")))={0};
SCT文件中的配置如下：
LR_IROM1 0x08000000 0x00300000 { ; load region size_region
ER_IROM1 0x08000000 0x00300000 { ; load address = execution address
*.o (RESET, +First)
*(InRoot$$Sections)
.ANY (+RO)
.ANY (+XO)
}
RW_IRAM1 0x20000000 0x00020000 { ; RW data
.ANY (+RW +ZI)
}
RW_IRAM2 0x10000000 0x00010000 {
main.o(.bss.RAM_Array)
}
}
具体软件代码可参考以下demo: